Nishizaki, Ichiro ; Katagiri, Hideki ; Hayashida, Tomohiro
Temat i słowa kluczowe:silicon germanium ; modeling ; kinetics ; oxidation ; silicon
Opis: Wydawca:Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa
Data wydania: Typ zasobu: Format: DOI: ISSN: eISSN: Źródło:Journal of Telecommunications and Information Technology
Język: Prawa: