Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Eksploatacja telefoniczna. Przegląd Zagadnień Łączności, 1967, nr 3 (66)
Pobierz

Tytuł: Eksploatacja telefoniczna. Przegląd Zagadnień Łączności, 1967, nr 3 (66)

Autor:

Dudek, J. ; Życińska, Z. ; Graczak, E. ; Konarski, A.

Data wydania:

1967, nr 3 (66)

Typ zasobu:

czasopismo

Opis:

Opracowania na podstawie artykułów

Wydawca:

Instytut Łączności, Branżowy Ośrodek Informacji Naukowo-Technicznej i Ekonomicznej, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

Na prawach rękopisu ; oai:bc.itl.waw.pl:1701

Źródło:

Przegląd Zagadnień Łączności

Język:

pol

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

17 lis 2014

Data dodania obiektu:

17 lis 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

152

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/1961

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Dudek, J.: Eksploatacja telefoniczna. Przegląd Zagadnień Łączności, 1967, nr 3 (66) 17 lis 2014

Obiekty Podobne
Eksploatacja telefonicznych sieci miejscowych. Przegląd Zagadnień Łączności, 1966, nr 4 (55)

Dudek, J. Kibortt, J. Życińska, Z.

1966, nr 4 (55)
czasopismo
Postęp techniczny w telekomutacji telefonicznej. Przegląd Zagadnień Łączności, 1966, nr 11 (62)

Dudek, J.

1966, nr 11 (62)
czasopismo
Zakłócenia. Przegląd Zagadnień Łączności, 1962, nr 2 (5)

Dudek, J. Gajda, W. Staniszewski, J.

1962, nr 2 (5)
czasopismo
Zagadnienia ekonomiczne w telekomunikacji. Przegląd Zagadnień Łączności, 1967, nr 2 (65)

Feret, M. Graczak, E.

1967, nr 2 (65)
czasopismo
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz

2007, nr 3
artykuł
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick

2007, nr 3
artykuł
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji