Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Przewłocki, Henryk M. ; Piskorski, Krzysztof

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The photoelectric techniques are often used for the measurements of metal oxide semiconductor (MOS) structure parameters. These methods, which consist in illuminating the MOS structure with a semitransparent metal gate by a UV light beam, are often competitive for typical electric measurements. The results obtained by different photoelectric methods are, in many cases, more accurate and reproducible than the results of other measurements. The flat-band voltage VFB is an important parameter of any MOS structure since its value influences the threshold voltage VT , which decides for example about power consumption of MOS transistors. One of the methods to measure the VFB value is the electric method of C(V) characteristic. This method involves certain calculations and requires the knowledge about parameters of the investigated sample. The accuracy of this method is rarely better than ±100 mV (for higher doping of the substrates the accuracy is worse). The other method of VFB value determination, outlined in this article, is the photoelectric light pulse technique (LPT) method. This method based on the idea proposed by Yun is currently being optimized and verified experimentally.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:477 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.982

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MOS system light pulse technique scanned light pulse technique flat-band voltage photoelectric methods

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

27 sie 2024

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

163

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/535

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Piskorski, Krzysztof; Przewłocki, Henryk M., LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 27 sie 2024

Obiekty Podobne
Investigation of barrier height distributions over the gate area of Al-SiO2-Si structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2007, nr 3
artykuł
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Kudła, Andrzej Sawicki, Zbigniew

2005, nr 1
artykuł
Energy concepts involved in MOS characterization, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Engström, Olof Gutt, Tomasz Przewłocki, Henryk M.

2007, nr 2
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji