Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Semiconductor cleaning technology for next generation material systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Ruzyllo, Jerzy

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

This paper gives a brief overview of the challenges wafer cleaning technology is facing in the light of advanced silicon technology moving in the direction of non-planar device structures and the need for modified cleans for semiconductors other than silicon. In the former case, the key issue is related to cleaning and conditioning of vertical surfaces in next generation CMOS gate structure as well as deep 3D geometries in MEMS devices. In the latter, an accelerated pace at which semiconductors other than silicon are being introduced into the mainstream manufacturing calls for the development of material specific wafer cleaning technologies. Examples of the problems related to each challenge are considered.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:258

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.807

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

III-V compounds, FinFET, IC manufacturing, MEMS, MOS gate stack, semiconductor cleaning semiconductor cleaning IC manufacturing MEMS MOS gate stack FinFET

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

923

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/294

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Ruzyllo, Jerzy, 2007,Semiconductor cleaning technology for next generation material systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 24 lip 2024

Obiekty Podobne
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Korwin-Pawlowski, Michael L. Malinowski, Arkadiusz Sekine, Makoto Hori, Masaru

2009, nr 4
artykuł
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Lateral Force Calibration Method Used for Calibration of Atomic Force Microscope, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Ekwińska, Magdalena Rymuza, Zygmunt

2009, nr 4
artykuł
Performance and operation of stressed dual gap RF MEMS varactors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Okoniewski, Michal McFeetors, Greg

2007, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji