Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Development of 3C-SiC MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Ericsson, Per ; Nagasawa, Hiroyuki ; Abe, Masayuki ; Strömberg, Helena ; Schöner, Adolf ; Bakowski, Mietek

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The paper reviews the development of the 3C-SiC MOSFETs in a unique development project combining the material and device expertise of HAST (Hoya Advanced Semiconductor Technologies) and Acreo, respectively. The motivation for the development of the 3C-SiC MOSFETs and the summary of the results from the lateral and vertical devices with varying size from single cell to 3×3 mm2 large devices are reviewed. The vertical devices had hexagonal and square unit cell designs with 2 μm and 4 μm channel length. The p-body was aluminum implanted and the source was nitrogen or phosphorus implanted. Low temperature Ti/W contacts were evaluated.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:262

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.808

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

channel mobility vertical MOSFET 3C-SiC

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

445

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/298

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Bakowski, Mietek; Schöner, Adolf; Ericsson, Per; Strömberg, Helena; Nagasawa, Hiroyuki; Abe, Masayuki, Development of 3C-SiC MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Ashburn, Peter Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gili, Enrico

2007, nr 3
artykuł
Prospects and Development of Vertical Normally-off JFETs in SiC, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Bakowski, Mietek

2009, nr 4
artykuł
Roadmap for SiC power devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Bakowski, Mietek

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji