Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Autor:

Przewłocki, Henryk M. ; Massoud, Hisham Z. ; Kudła, Andrzej ; Brzezińska, Danuta

Data wydania:

2005, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The local value distributions of the effective contact potential difference (ECPD or the øMS factor) over thegate area of Al-SiO2-Si structures were investigated for thefirst time. A modification of the photoelectric øMS measurement method was developed, which allows determination of local values of this parameter in different parts of metaloxide-semiconductor (MOS) structures. It was found that the øMS distribution was such, that its values were highest far away from the gate edge regions (e.g., in the middle of a square gate), lower in the vicinity of gate edges and still lower in the vicinity of gate corners. These results were confirmed by several independent photoelectric and electrical measurement methods. A model is proposed of this distribution in which the experimentally determined øMS(x; y) distributions, found previously, are attributed to mechanical stress distributions in MOS structures. Model equations are derived and used to calculate øMS(x; y) distributions for various structures. Results of these calculations remain in agreement with experimentally obtained distributions. Comparison of various characteristics calculated using the model with the results of photoelectric and electrical measurements of a wide range of Al-SiO2-Si structures support the validity of the model.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:362

DOI:

10.26636/jtit.2005.1.294

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

photoelectric measurements mechanical stress MOS structure electrical parameters

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

11 cze 2024

Data dodania obiektu:

26 lut 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

236

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/412

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Przewłocki, Henryk M.; Kudła, Andrzej; Brzezińska, Danuta; Massoud, Hisham Z., Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1 11 cze 2024

Obiekty Podobne
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Kudła, Andrzej Sawicki, Zbigniew

2005, nr 1
artykuł
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta Przewłocki, Henryk Borowicz, Lech

2005, nr 1
artykuł
Electrical characterization of ISFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Tomaszewski, Daniel Jaroszewicz, Bohdan Pijanowska, Dorota G. Grabiec, Piotr Zaborowski, Michał Yang, Chia-Ming

2007, nr 3
artykuł
The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre Vanhoenacker-Janvier, Danielle Emam, Mostafa Houri, Samer

2009, nr 4
artykuł
Ultra-shallow nitrogen plasma implantation for ultra-thin silicon oxynitride (SiOxNy) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Bieniek, Tomasz Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
An accurate prediction of high-frequency circuit behaviour, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Yoshitomi, Sadayuki Kokatsu, Hideyuki Kojima, Kenji Kimijima, Hideki

2005, nr 1
artykuł
LPT and SLPT Measurement Methods of Flat-Band Voltage (VFB) in MOS Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Przewłocki, Henryk M. Piskorski, Krzysztof

2009, nr 4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji