Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Rare Earth Silicate Formation: A Route Towards High-k for the 22 nm Node and Beyond, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Mitrovic, Ivona Z. ; Hall, Stephen

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Over the last decade there has been a significant amount of research dedicated to finding a suitable high-k/metal gate stack to replace conventional SiON/poly-Si electrodes. Materials innovations and dedicated engineering work has enabled the transition from research lab to 300 mm production a reality, thereby making high-k/metal gate technology a pathway for continued transistor scaling. In this paper, we will present current status and trends in rare earthbased materials innovations; in particular Gd-based, for the high-k/metal gate technology in the 22 nm node. Key issues and challenges for the 22 nm node and beyond are also highlighted.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:473 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.969

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

interfacial layer lanthanides gadolinium silicate rare earth oxides

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

27 sie 2024

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

712

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/531

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Mitrovic, Ivona Z.; Hall, Stephen, Rare Earth Silicate Formation: A Route Towards High-k for the 22 nm Node and Beyond, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 27 sie 2024

Obiekty Podobne
Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Davey, William M. Lu, Yi Mitrovic, Ivona Z. Buiu, Octavian Hall, Stephen

2007, nr 2
artykuł
Charging Phenomena at the Interface Between High-k Dielectrics and SiOx Interlayers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen Engström, Olof Schmidt, Mathias Piscator, Johan Raeissi, Bahman Gottlob, Heinrich D. B. Hurley, Paul K. Cherkaoui, Karim

2010, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji