Filters
  • Collections
  • Group objects
  • File type
  • Creator
  • Subject and Keywords
  • Date
  • Resource Type
  • Language
Advanced search ?

Search for: [Subject and Keywords = shallow implantation] OR [Subject and Keywords = MOS technology] OR [Subject and Keywords = radiation damage] OR [Subject and Keywords = plasma processing] OR [Title = Ultra\-shallow nitrogen plasma implantation for ultra\-thin silicon oxynitride \(SiOxNy\) layer formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1] OR [Creator = Jakubowski, Andrzej] OR [Creator = Beck, Romuald B.] OR [Creator = Bieniek, Tomasz] OR [Creator = Kudła, Andrzej]

Number of results: 34

Items per page:
add all to bibliography
Ultrathin oxynitride films for CMOS technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B.

2004, nr 1
artykuł
Applying shallow nitrogen implantation from rf plasma for dual gate oxide technology, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz

2007, nr 3
artykuł
Composition and electrical properties of ultra-thin SiOxNy layers formed by rf plasma nitrogen implantation/plasma oxidation processes, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick

2007, nr 3
artykuł
Challenges in ultrathin oxide layers formation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Łukasiak, Lidia Korwin-Pawłowski, Michał

2001, nr 1
artykuł
Comparison of composition of ultra-thin silicon oxynitride layers’ fabricated by PECVD and ultrashallow rf plasma ion implantation, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Konarski, Piotr Bieniek, Tomasz Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Oxidation kinetic sof silicon strained by silicon germanium, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Grabowski, Jarosław

2007, nr 3
artykuł
Novel Method of Improving Electrical Properties of Thin PECVD Oxide Films by Fluorination of Silicon Surface Region by RIE in RF CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
The Effect of High Temperature Annealing on Fluorine Distribution Profile and Electro-Physical Properties of Thin Gate Oxide Fluorinated by Silicon Dioxide RIE in CF4 Plasma, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Beck, Romuald B. Głuszko, Grzegorz Kalisz, Małgorzata

2010, nr 1
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Photoelectric measurements of the local values of the effective contact potential difference in the MOS structure, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta Przewłocki, Henryk Borowicz, Lech

2005, nr 1
artykuł
Effects of stress annealing on the electrical and the optical properties of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Kudła, Andrzej Sawicki, Zbigniew

2005, nr 1
artykuł
Comparison of the barrier height measurements by the Powell method with the ΦMS measurement results, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Rzodkiewicz, Witold Piskorski, Krzysztof Kudła, Andrzej

2005, nr 1
artykuł
The role of fluorine-containing ultra-thin layer in controlling boron thermal diffusion into silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Kalisz, Małgorzata Barcz, Adam

2007, nr 3
artykuł
Advanced compact modeling of the deep submicron technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Grabiński, Władysław Bucher, Matthias Sallese, Jean-Michel Krummenacher, Francçis

2000, nr 3,4
artykuł
Adsorption properties of porous silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Beck, Romuald B. Grabiec, Piotr Gotszalk, Teodor Rangelow, Ivo W. Domański, Krzysztof Dębski, Tomasz

2001, nr 1
artykuł
Optimization of selectedp arameters of SiGe HBT transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
History of Semiconductors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia

2010, nr 1
artykuł
Modeling, Simulation and Calibration of Silicon Wet Etching, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Bieniek, Tomasz Janus, Paweł Kociubiński, Andrzej Duk, Mariusz

2009, nr 4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Multi-Domain Modeling and Simulations of the Heterogeneous Systems, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 1

Bieniek, Tomasz Tomaszewski, Daniel Grabiec, Piotr Janus, Paweł Kociubiński, Andrzej Malinowski, Arkadiusz Ekwińska, Magdalena Janczyk, Grzegorz Szynka, Jerzy

2010, nr 1
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł

Contact details

Address

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Phone

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Visit us!

This page uses 'cookies'. More information