Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Raskin, Jean-Pierre ; Lederer, Dimitri

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

In the present paper, the interest of wideband characterization for the development of integrated technologies is highlighted through several advanced devices, such as 120 nm partially depleted (PD) silicon-on-insulator (SOI) MOSFETs, 120 nm dynamic threshold (DT) voltage – SOI MOSFETs, 50 nm FinFETs as well as long-channel planar double gate (DG) MOSFETs.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:269

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.811

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MOSFET small-signal equivalent circuit extraction techniques wideband characterization silicon-on-insulator microwave frequency

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

24 lip 2024

Data dodania obiektu:

22 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

332

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/311

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Lederer, Dimitri; Raskin, Jean-Pierre, On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 24 lip 2024

Obiekty Podobne
SOI Technology: An Opportunity for RF Designers?, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre

2009, nr 4
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre Vanhoenacker-Janvier, Danielle Emam, Mostafa Houri, Samer

2009, nr 4
artykuł
High-field current transport and charge trapping in buried oxide of SOI materials under high-field electron injection, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Kilchytska, Valeriya Houk, Yuri Nazarov, Alexei N.

2004, nr 1
artykuł
Challenges for 10 nm MOSFET process integration, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Hellström, Per-Erik Haartman von, Martin Östling, Mikael Zhang, Zhen Hallstedt, Julius Zhang, Shili Malm, Bengt Gunnar

2007, nr 2
artykuł
Impact of Crosstalk into High Resistivity Silicon Substrate on the RF Performance of SOI MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2010, nr 4

Raskin, Jean-Pierre Neve, César Roda Gharsallah, Ali Ali, Khaled Ben

2010, nr 4
artykuł
Charge-pumping characterization of SOI devices fabricated by means of wafer bonding over pre-patterned cavities, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Raskin, Jean-Pierre Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Olbrechts, Benoit Kilchytska, Valeriya Flandre, Denis Chung, Tsung Ming

2007, nr 3
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji