Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Schwalke, Udo ; Zaunert, Florian ; Endres, Ralf ; Stefanov, Yordan

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

The evaluation of the world’s first MOSFETs with epitaxially-grown rare-earth high-k gate dielectrics is the main issue of this work. Electrical device characterization has been performed on MOSFETs with high-k gate oxides as well as their reference counterparts with silicon dioxide gate dielectric. In addition, by means of technology simulation with TSUPREM4, models of these devices are established. Current-voltage characteristics and parameter extraction on the simulated structures is conducted with the device simulator MEDICI. Measured and simulated device characteristics are presented and the impact of interface state and fixed charge densities is discussed. Device parameters of high-k devices fabricated with standard poly-silicon gate and replacement metal gate process are compared.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:270

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.812

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MEDICI gadolinium oxide praseodymium oxide crystalline high-k gate dielectric remote coulomb scattering TSUPREM4 interface state density carrier mobility CMP CMOS process damascene metal gate rare-earth oxide

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

22 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

226

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/312

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Zaunert, Florian; Endres, Ralf; Stefanov, Yordan; Schwalke, Udo, Evaluation of MOSFETs with crystalline high-k gate-dielectrics: device simulation and experimental data, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Gate dielectrics: process integration issues and electrical properties, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Schwalke, Udo

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji