Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Jakubowski, Andrzej ; Tomaszewski, Daniel ; Łukasiak, Lidia ; Domański, Krzysztof

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A steady-state model of partially-depleted (PD) SOI MOSFETs I-V characteristics in subthreshold range is presented. Phenomena, which must be accounted for in current continuity equation, which is a key equation of the PD SOI MOSFETs model are summarized. A model of diffusionbased conduction in a weakly-inverted channel is described. This model takes into account channel length modulation, drift of carriers in the „pinch-off” region and avalanche multiplication triggered by these carriers. Characteristics of the presented model are shown and briefly discussed.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:690 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.39

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MOSFET floating body transconductance subthreshold range

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

27 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

215

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/766

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Tomaszewski, Daniel; Łukasiak, Lidia; Jakubowski, Andrzej; Domański, Krzysztof, A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
An impact of physical phenomena on admittances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan

2001, nr 1
artykuł
An impact of frequency on capacitances of partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiński, Władysław Lemaitre, Laurent

2005, nr 1
artykuł
Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Faynot, Olivier Ohata, Akiko Ritzenthaler, Romain Cristoloveanu, Sorin

2007, nr 2
artykuł
Characterization of SOI MOSFETs by means of charge-pumping, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gottlob, Heinrich Lemme, Max Szostak, Sławomir

2007, nr 3
artykuł
Analysis of the Dispersion of Electrical Parameters and Characteristics of FinFET Devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Korwin-Pawlowski, Michael L. Malinowski, Arkadiusz Sekine, Makoto Hori, Masaru

2009, nr 4
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji