Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Balestra, Francis

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A review of recently explored new effects in SOI nanodevices and materials is given. Recent advances in the understanding of the sensitivity of electron and hole transport to the tensile or compressive uniaxial and biaxial strains in thin film SOI are presented. The performance and physical mechanisms are also addressed in multi-gate Si, SiGe and Ge MOSFETs. The impact of gate misalignment or underlap, as well as the use of the back gate for charge storage in double-gate nanodevices and of capacitorless DRAMare also outlined.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:247

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.803

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

tunneling current mobility enhancement gate misalignment GIFBE SOI ballistic transport strain engineering

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

23 lip 2024

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

214

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/282

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Balestra, Francis, SOI nanodevices and materials for CMOS ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 23 lip 2024

Obiekty Podobne
Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Balestra, Francis

2001, nr 1
artykuł
Low frequency noise in advanced Si bulk and SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Balestra, Francis Ghibaudo, Gérard Jomaah, Jalal

2005, nr 1
artykuł
High-field current transport and charge trapping in buried oxide of SOI materials under high-field electron injection, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Kilchytska, Valeriya Houk, Yuri Nazarov, Alexei N.

2004, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Druzhinin, Anatoly Pankov, Yury

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji