Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Faynot, Olivier ; Ohata, Akiko ; Ritzenthaler, Romain ; Cristoloveanu, Sorin

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

State-of-the-art SOI transistors require a very small body. This paper examines the effects of body thinning and thin-gate oxide in SOI MOSFETs on their electrical characteristics. In particular, the influence of film thickness on the interface coupling and carrier mobility is discussed. Due to coupling, the separation between the front and back channels is difficult in ultra-thin SOI MOSFETs. The implementation of the front-gate split C-V method and its limitations for determining the front- and back-channel mobility are described. The mobility in the front channel is smaller than that in the back channel due to additional Coulomb scattering. We also discuss the 3D coupling effects that occur in FinFETs with triple-gate and omega-gate configurations. In low-doped or tall fins the corner effect is suppressed. Narrow devices are virtually immune to substrate effects due to a strong lateral coupling between the two lateral sides of the gate. Short-channel effects are drastically reduced when the lateral coupling screens the drain influence.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:248

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.804

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

mobility models SOI coupling effect thin gate oxide multiple-gate drain-induced virtual substrate biasing ultra-thin silicon gate-induced floating body effect MOSFET

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

23 lip 2024

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

675

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/283

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Ohata, Akiko; Ritzenthaler, Romain; Faynot, Olivier; Cristoloveanu, Sorin, Special size effects in advanced single-gate and multiple-gate SOI transistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 23 lip 2024

Obiekty Podobne
The influence of annealing (900◦C) of ultra-thin PECVD silicon oxynitride layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Beck, Romuald B. Ćwil, Michał Głuszko, Grzegorz Konarski, Piotr Schmeißer, Dieter Hoffmann, Patrick Mroczyński, Robert

2007, nr 3
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
High-temperature instability processes in SOI structures and MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Nazarov, Alexei N. Kilchytska, V. I. Colinge, J. P. Vovk, Ja. N.

2001, nr 1
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Standardization of the compact model coding: non-fully depleted SOI MOSFET example, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Grabiński, Władysław Lemaitre, Laurent

2005, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji