Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Autor:

Raskin, Jean-Pierre ; Vanhoenacker-Janvier, Danielle ; Emam, Mostafa ; Houri, Samer

Data wydania:

2009, nr 4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

This paper presents a complete study of the impact of mechanical stress on the performance of SOI MOSFETs. This investigation includes dc, analog and RF characteristics. Parameters of a small-signal equivalent circuit are also ex- tracted as a function of applied mechanical stress. Piezoresistance coefficientis shown to be a key element in describing the enhancement in the characteristics of the device due to mechanical stress.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:469 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2009.4.957

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MOSFET mechanical stress piezoresistance coefficient intrinsic gain cutoff frequency fT

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

8 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

255

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/527

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Emam, Mostafa; Houri, Samer; Vanhoenacker-Janvier, Danielle; Raskin, Jean-Pierre, The Impact of Externally Applied Mechanical Stress on Analog and RF Performances of SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
SOI Technology: An Opportunity for RF Designers?, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Raskin, Jean-Pierre

2009, nr 4
artykuł
Variability of the local ΦMS values over the gate area of MOS devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Przewłocki, Henryk M. Massoud, Hisham Z. Kudła, Andrzej Brzezińska, Danuta

2005, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
On-wafer wideband characterization: a powerful tool for improving the IC technologies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Raskin, Jean-Pierre Lederer, Dimitri

2007, nr 2
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
A model of partially-depleted SOI MOSFETs in the subthreshold range, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Domański, Krzysztof

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji