Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Autor:

Landgren, Gunnar ; Radamson, Henry H. ; Grahn, Jan

Data wydania:

2000, nr 3,4

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

C have been investigated. The results showed that the growth rate of SiGe layers has a strong effect on the evolution of defect density in the structure. Furthermore, B-doped SiGe layers have a higher thermal stability compared to undoped layers. The analysis of the collector profiles showed a higher incorporation of P in silane-based epitaxy compared to As. Meanwhile, the growth of As- or P-doped layers on the patterned substrates suffered from a high loading effect demanding an accurate calibration.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:1638 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2000.3-4.32

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

HBT SiGe epitaxy silane

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

16 maj 2024

Data dodania obiektu:

20 maj 2014

Liczba wyświetleń treści obiektu:

131

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/1838

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Radamson, Henry H.; Grahn, Jan; Landgren, Gunnar, CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4 16 maj 2024

Obiekty Podobne
SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terrence E.

2001, nr 1
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
Modeling SiGe-base HBT using APSYS 2000 - a 2D simulator, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Linkowski, Adam

2004, nr 1
artykuł
SiGe HBT wideband amplifier for millimeter wave applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 1

Boeck, Georg Noether, Nils Krcmar, Marko

2007, nr 1
artykuł
Critical modeling issues of SiGe semiconductor devices, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Selberherr, Siegfried Palankovski, Vassil

2004, nr 1
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Modeling of the inverse base width modulation effect in HBT transistor with graded SiGe base, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Zaręba, Agnieszka

2007, nr 3
artykuł
Process and device requirements for mixed-signal integrated circuits in broadband networking, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Iniewski, Krzysztof Voinigescu, Sorin P. Syrzycki, Marek

2004, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji