Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Autor:

Buiu, Octavian ; Hall, Stephen ; Ashburn, Peter ; Groot de, Kees

Data wydania:

2004, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

There is a well recognised need to introduce new materials and device architectures to Si technology to achieve the objectives set by the international roadmap. This paper summarises our work in two areas: vertical MOSFETs, which can allow increased current drive per unit area of Si chip and SiGe HBT's in silicon-on-insulator technology, which bring together and promise to extend the very high frequency performance of SiGe HBT's with SOI-CMOS.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:509

DOI:

10.26636/jtit.2004.1.232

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

HBT SOI vertical MOSFET

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

10 mar 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

355

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/569

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Hall, Stephen; Buiu, Octavian; Ashburn, Peter; Groot de, Kees, Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Ashburn, Peter Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gili, Enrico

2007, nr 3
artykuł
Review and perspective of high-k dielectrics on silicon, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Davey, William M. Lu, Yi Mitrovic, Ivona Z. Buiu, Octavian Hall, Stephen

2007, nr 2
artykuł
Development of 3C-SiC MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Ericsson, Per Nagasawa, Hiroyuki Abe, Masayuki Strömberg, Helena Schöner, Adolf Bakowski, Mietek

2007, nr 2
artykuł
CVD growth of high speed SiGe HBTs using SiH4, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Landgren, Gunnar Radamson, Henry H. Grahn, Jan

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon-germanium for ULSI, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Halll, Steve Eccleston, Bill

2000, nr 3,4
artykuł
Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Druzhinin, Anatoly Pankov, Yury

2001, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Rare Earth Silicate Formation: A Route Towards High-k for the 22 nm Node and Beyond, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2009, nr 4

Mitrovic, Ivona Z. Hall, Stephen

2009, nr 4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji