Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Autor:

Druzhinin, Anatoly ; Pankov, Yury

Data wydania:

2001, nr 1

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

A physical model of grain boundary influence on the piezoresistive effect of p-type conductivity of polysilicon layers in SOI-structures is developed. Software calculating piezoresistive properties of boron-doped p-type polysilicon layers has been developed. These properties may be calculated over wide concentration and temperature ranges with anisotropy taken into account and with the average grain size as a parameter. The potential barrier regions around the grain boundaries influence the deformation changes of anisotropy resistance in the fine-grained non-recrystallized SOI-structures doped with boron up to 3∙10^19cm^-3 only.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:686 ; ISSN 1509-4553, on-line: ISSN 1899-8852

DOI:

10.26636/jtit.2001.1.43

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

SOI MLR polysilicon layers

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

26 kwi 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

273

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/762

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Pankov, Yury; Druzhinin, Anatoly, Grain boundary effect on the anisotropy piezoresistance of laser-recrystallized polysilicon layers in SOI-structures, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1 25 lut 2026

Obiekty Podobne
On possibility to extend the operation temperature range of SOI sensors with polysilicon piezoresistors, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Kogut, Igor Maryamova, Inna Lavitska, Elena Khoverko, Yuri Druzhinin, Anatoly

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Characterization of SOI fabrication process using gated-diode measurements and TEM studies, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Jakubowski, Andrzej Tomaszewski, Daniel Łukasiak, Lidia Gibki, Jan Ratajczak, Jacek Kątcki, Jerzy

2000, nr 3,4
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Scattering mechanisms in MOS/SOI devices with ultrathin semiconductor layers, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan

2004, nr 1
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Reliability of deep submicron MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Balestra, Francis

2001, nr 1
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji