Wyszukiwanie zaawansowane ?

Obiekt

Pobierz

Tytuł: Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2

Autor:

Grasby, Tim J. ; Bacon, Adam R. ; Parker, Evan H. C. ; Fulgoni, Dominic J. F. ; Leadley, David R. ; Thomas, Stephen M. ; Whall, Terence E. ; Prest, Martin J.

Data wydania:

2007, nr 2

Typ zasobu:

artykuł

Opis:

Measurements of 1/f noise in Si and Si0.64Ge0.36 PMOSFETs have been compared with theoretical models of carrier tunnelling into the oxide. Reduced noise is observed in the heterostructure device as compared to the Si control. We suggest that this is primarily associated with an energy dependent density of oxide trap states and a displacement of the Fermi level at the SiO2 interface in the heterostructure relative to Si. The present study also emphasizes the important role of transconductance enhancement in the dynamic threshold mode in lowering the input referred voltage noise.

Wydawca:

Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa

Format:

application/pdf

Identyfikator zasobu:

oai:bc.itl.waw.pl:268

DOI:

10.26636/jtit.2007.2.810

ISSN:

1509-4553

eISSN:

1899-8852

Źródło:

Journal of Telecommunications and Information Technology

Język:

ang

Prawa:

Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności

Temat i słowa kluczowe:

MOSFET dynamic threshold mode silicon germanium heterostructures electronic noise

Kolekcje, do których przypisany jest obiekt:

Data ostatniej modyfikacji:

25 lut 2026

Data dodania obiektu:

8 sty 2010

Liczba wyświetleń treści obiektu:

214

Wszystkie dostępne wersje tego obiektu:

https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/306

Wyświetl opis w formacie RDF:

RDF

Wyświetl opis w formacie OAI-PMH:

OAI-PMH

Nazwa wydania Data
Thomas, Stephen M.; Prest, Martin J.; Fulgoni, Dominic J. F.; Bacon, Adam R.; Grasby, Tim J. ; Leadley, David R; Parker, Evan H. C.; Whall, Terence E., Low frequency noise in Si and Si/SiGe/Si PMOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 2 25 lut 2026

Obiekty Podobne
DC and low-frequency noise analysis for buried SiGe channel metamorphic PMOSFETs with high Ge content, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2005, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terence E. König, Ulf Känel, von Hans Hoeck, Georg Herzog, Hans-Joest Myronov, Maksym Durov, Sergiy Hackbarth, Thomas Mironov, Oleg A.

2005, nr 1
artykuł
SiGe field effect transistors – performance and applications, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2001, nr 1

Parker, Evan H. C. Whall, Terrence E.

2001, nr 1
artykuł
Recent developments in vertical MOSFETs and SiGe HBTs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Buiu, Octavian Hall, Stephen Ashburn, Peter Groot de, Kees

2004, nr 1
artykuł
Charge-pumping characterization of FILOX vertical MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Ashburn, Peter Głuszko, Grzegorz Łukasiak, Lidia Gili, Enrico

2007, nr 3
artykuł
Silicon microelectronics: where we have come from and where we are heading, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2004, nr 1

Jakubowski, Andrzej Łukasiak, Lidia Pióro, Zbigniew

2004, nr 1
artykuł
Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3

Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan

2007, nr 3
artykuł
Direct extraction techniques of microwave small-signal model and technological parameters for sub-quarter micron SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle

2000, nr 3,4
artykuł
Comparison of microwave performances for sub-quarter micron fully- and partially-depleted SOI MOSFETs, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2000, nr 3,4

Raskin, Jean-Pierre Goffioul, Michël Vanhoenacker, Danielle Dambrine, Gilles

2000, nr 3,4
artykuł
Więcej
×

Cytowanie

Styl cytowania:

Dane kontaktowe

Adres

Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy ul. Szachowa 1 04-894 Warszawa

Telefon

(+48) 5128 696

E-Mail

biblioteka@il-pib.pl

Odwiedź nas!

Ta strona wykorzystuje pliki 'cookies'. Więcej informacji