Instytut Łączności – Państwowy Instytut Badawczy contains 2 325 digital objects
Object
Title: Electron mobility and drain current in strained-Si MOSFET, Journal of Telecommunications and Information Technology, 2007, nr 3
Description:
Publisher:
Instytut Łączności - Państwowy Instytut Badawczy, Warszawa
Format:
Resource Identifier:
DOI:
ISSN:
eISSN:
Source:
Journal of Telecommunications and Information Technology
Language:
Rights Management:
Biblioteka Naukowa Instytutu Łączności
Object collections:
- Digital Library
- Digital Library > Institute's Publications
- Digital Library > Institute's Publications > Current Publications > Journal of Telecommunications and Information Technology (JTIT)
- Digital Library > Institute's Publications > Archives > Przegląd Prac Instytutu Łączności
Last modified:
Feb 25, 2026
In our library since:
Jan 28, 2010
Number of object content hits:
883
All available object's versions:
https://ribes-54.man.poznan.pl/publication/335
Show description in RDF format:
Show description in OAI-PMH format:
Objects Similar
Walczak, Jakub Majkusiak, Bogdan
2004, nr 1
artykuł
Jakubowski, Andrzej Majkusiak, Bogdan Korwin-Pawłowski, Michał Janik, Tomasz
2001, nr 1
artykuł
×